Intel и Micron представили флеш-память с плотностью записи 3 бита на ячейку
Корпорации Intel и Micron Technology совместно разработали высокоемкую флеш-память для флеш-карт и USB-приводов.
Представлены 34-нанометровые NAND-чипы с плотностью записи 3 бита на ячейку. Стандартом, напомним, считается плотность 2 бита на ячейку.
В то же время, по словам представителей компании Micron, новая память не обладает такой же надежностью, как стандартная. Поэтому трехбитные микросхемы будут использоваться пока только в флеш-приводах, которым не нужна та же безотказность в работе, что и твердотельным накопителям.
Массовый выпуск чипов начнется в четвертом квартале 2009 года.
Добавить комментарий 
